前期 大問〔2〕:電磁気(誘電体挿入・極板変形による電磁誘導)

解法の指針

真空中に中心をそろえた同心の円形コイル A・B が同一平面内に置かれている。コイル A には平行板コンデンサーと起電力 \(V\) の直流電源が、コイル B には抵抗 \(r\) がつながれている。コンデンサーの状態を変化させると、コイル A に流れる電流が中心に磁界をつくり、その磁界の変化が中心付近にあるコイル B に電磁誘導を起こす——という「コンデンサー → コイル A の電流 → 磁界 → コイル B の誘導電流」という因果の連鎖を丁寧にたどるのが核心です。

問題の構成

全体を貫くポイント

問1 — 誘電体を長さ \(s\) 挿入したときの電気量

直感的理解

誘電体を差し込むと、その部分だけ「電気を蓄えやすさ(容量)」が \(\varepsilon_\mathrm{r}\) 倍になる。挿入された部分とまだ真空のままの部分は、同じ電源につながった2つのコンデンサーが横に並んだ(並列)状態。容量を足し合わせればよい。

極板は辺の長さ \(a,\,b\) の長方形、極板間距離は \(d\)。誘電体(比誘電率 \(\varepsilon_\mathrm{r}\))を長さ \(s\) だけ挿入すると、コンデンサーは次の2つが並んだ並列回路とみなせます。

並列なので容量を足し合わせます。

$$C = C_1 + C_2 = \frac{\varepsilon_0 b}{d}\bigl[\varepsilon_\mathrm{r}\, s + (a-s)\bigr] = \frac{\varepsilon_0 b}{d}\bigl[a + (\varepsilon_\mathrm{r}-1)s\bigr]$$

極板間の電圧は電源の起電力 \(V\) に等しいので、蓄えられる電気量は \(Q = CV\):

$$Q = \frac{\varepsilon_0 b V}{d}\bigl[a + (\varepsilon_\mathrm{r}-1)s\bigr]$$
答え:\(\displaystyle Q = \frac{\varepsilon_0 b V}{d}\bigl[a + (\varepsilon_\mathrm{r}-1)s\bigr]\)
補足:\(s=0\) と \(s=a\) で検算

\(s=0\)(誘電体なし)では \(Q=\dfrac{\varepsilon_0 a b V}{d}\)(真空の平行板コンデンサー)。\(s=a\)(全挿入)では \(Q=\dfrac{\varepsilon_\mathrm{r}\varepsilon_0 a b V}{d}\)(誘電体で満たした場合)。いずれも基本公式と一致し、式の形が正しいことが確認できます。

Point

誘電体を横にずらして部分挿入したコンデンサーは並列合成(容量を足す)。挿入方向に重ねる(厚みを変える)場合は直列合成になるので、向きで使い分ける。

問2 — コイルAに流れる電流 \(I_\mathrm{A}\) と向き

直感的理解

誘電体が入っていくと容量 \(C\) が増え、同じ電圧 \(V\) でも蓄えられる電気量 \(Q\) が増える。増えた分の電荷は電源から導線(コイル A)を通って供給される。この「コンデンサーを充電する流れ」がコイル A の電流。電流の大きさは \(Q\) の増える速さ \(\dfrac{dQ}{dt}\)。

問1より \(Q = \dfrac{\varepsilon_0 b V}{d}\bigl[a + (\varepsilon_\mathrm{r}-1)s\bigr]\)。時刻 \(t\) から \(\Delta t\) の間に挿入長が \(s\to s+v_s\Delta t\) と変化するので、電気量の変化 \(\Delta Q\) は:

$$\Delta Q = \frac{\varepsilon_0 b V}{d}(\varepsilon_\mathrm{r}-1)\,\Delta s = \frac{\varepsilon_0 b V}{d}(\varepsilon_\mathrm{r}-1)\,v_s\,\Delta t$$

コイル A に流れる電流の大きさは \(I_\mathrm{A} = \dfrac{\Delta Q}{\Delta t}\):

$$I_\mathrm{A} = \frac{\Delta Q}{\Delta t} = \frac{\varepsilon_0 b V}{d}(\varepsilon_\mathrm{r}-1)\,v_s$$

電流の向き:誘電体が入ると \(C\) が増え \(Q\) が増える。すなわちコンデンサーは充電される。電源はコイル A を通して極板へ正電荷を送り込む向きに電流を流す。これは図1で電源から極板へ向かう充電の向き、すなわち(i) である。

答え:\(\displaystyle I_\mathrm{A} = \frac{\varepsilon_0 b V}{d}(\varepsilon_\mathrm{r}-1)\,v_s\)、向きは (i)
補足:なぜ \(a\) と真空部分の項が消えるのか

\(Q\) のうち定数項 \(\dfrac{\varepsilon_0 abV}{d}\) は時間で変化しないので微分(差分)でゼロになります。電流に効くのは挿入長 \(s\) に比例する項だけ。だから \(I_\mathrm{A}\) には \(a\) が現れず、\((\varepsilon_\mathrm{r}-1)\) が係数として残ります。\(\varepsilon_\mathrm{r}=1\)(誘電体がただの真空)なら電流は流れない、というのも直感に合います。

Point

コンデンサーの導線に流れる電流は充電電流 \(I=\dfrac{dQ}{dt}\)。容量や電圧が時間変化するとき、変化する部分だけが電流に効く。

問3 — 電流 \(I_\mathrm{A}\) が中心につくる磁界

直感的理解

1巻きの円形コイルに電流が流れると、その中心に最も強い磁界ができる。半径が大きいほど磁界は弱く、電流が大きいほど強い。向きは右ねじの法則で、電流の回る向きに右ねじを回したとき、ねじの進む向き。

1巻きの円形コイル(半径 \(R_\mathrm{A}\))に電流 \(I_\mathrm{A}\) が流れるとき、その中心の磁界の強さ(磁場の強さ \(H\))は次式で与えられます。

$$H = \frac{I_\mathrm{A}}{2 R_\mathrm{A}}$$

ここで問われているのは「磁界の強さ \(H\)」なので、透磁率 \(\mu_0\) は含まれません(磁束密度なら \(B=\mu_0 H\))。

向き:問2でコイル A の電流の向きは (i) と決まった。右ねじの法則を図1の電流の回り方に適用すると、中心の磁界は紙面の表から裏へ向かう。よって(ア)

答え:\(\displaystyle H = \frac{I_\mathrm{A}}{2 R_\mathrm{A}}\)、向きは (ア) 紙面表から裏の向き
補足:磁界の強さ \(H\) と磁束密度 \(B\) の違い

磁界の強さ \(H\)〔A/m〕は電流だけで決まり、円形コイル中心では \(H=\dfrac{I}{2R}\)。真空中の磁束密度は \(B=\mu_0 H = \dfrac{\mu_0 I}{2R}\)〔T〕。本問は「磁界の強さ」を聞いているので \(\mu_0\) は不要。問4で磁束(\(B\times\)面積)を使うときに初めて \(\mu_0\) が登場する。

Point

円形電流の中心:\(H=\dfrac{I}{2R}\)(直線電流の \(\dfrac{I}{2\pi r}\) と混同しない)。向きは右ねじの法則

問4 — コイルBに流れる誘導電流 \(I_\mathrm{B}\) と向き

直感的理解

誘電体が加速しながら入ると \(I_\mathrm{A}\) が増え続け、中心の磁界も強くなり続ける。中心付近にあるコイル B はこの変化する磁束を貫かれ、電磁誘導で起電力が生じる。「変化を妨げる向き」(レンツの法則)に誘導電流が流れる。

① コイル B を貫く磁束を求める。コイル B は半径 \(R_\mathrm{B}\) が \(R_\mathrm{A}\) に比べて十分小さく、内部の磁界は中心の値に等しいとしてよい。中心の磁束密度は問3より \(B = \mu_0 H = \dfrac{\mu_0 I_\mathrm{A}}{2 R_\mathrm{A}}\)。コイル B の面積 \(\pi R_\mathrm{B}^2\) を貫く磁束は:

$$\Phi_\mathrm{B} = B\cdot \pi R_\mathrm{B}^2 = \frac{\mu_0 I_\mathrm{A}}{2 R_\mathrm{A}}\cdot \pi R_\mathrm{B}^2$$

② \(I_\mathrm{A}\) の時間変化率を求める。速度が \(v_s \to v_s + p\,\Delta t\) と変化するので、問2の \(I_\mathrm{A}=\dfrac{\varepsilon_0 bV}{d}(\varepsilon_\mathrm{r}-1)v_s\) より:

$$\frac{\Delta I_\mathrm{A}}{\Delta t} = \frac{\varepsilon_0 bV}{d}(\varepsilon_\mathrm{r}-1)\cdot\frac{\Delta v_s}{\Delta t} = \frac{\varepsilon_0 bV}{d}(\varepsilon_\mathrm{r}-1)\,p$$

③ ファラデーの法則で誘導起電力、オームの法則で電流。

$$|V_\mathrm{ind}| = \frac{\Delta \Phi_\mathrm{B}}{\Delta t} = \frac{\mu_0 \pi R_\mathrm{B}^2}{2 R_\mathrm{A}}\cdot\frac{\Delta I_\mathrm{A}}{\Delta t} = \frac{\mu_0 \pi R_\mathrm{B}^2}{2 R_\mathrm{A}}\cdot\frac{\varepsilon_0 bV(\varepsilon_\mathrm{r}-1)\,p}{d}$$ $$I_\mathrm{B} = \frac{|V_\mathrm{ind}|}{r} = \frac{\mu_0 \pi R_\mathrm{B}^2\,\varepsilon_0 b V (\varepsilon_\mathrm{r}-1)\,p}{2 R_\mathrm{A}\, r\, d}$$

向き:磁束(紙面表→裏向き)が増加するので、レンツの法則よりコイル B はこれを妨げる(裏→表向きの磁界をつくる)向きに誘導電流を流す。図1の記号では(iii)

答え:\(\displaystyle I_\mathrm{B} = \frac{\mu_0 \pi R_\mathrm{B}^2\,\varepsilon_0 b V (\varepsilon_\mathrm{r}-1)\,p}{2 R_\mathrm{A}\, r\, d}\)、向きは (iii)
別解:因果の連鎖を1本の式にまとめる

「\(v_s\) の変化率 \(p\) → \(I_\mathrm{A}\) の変化率 → 磁束の変化率 → 起電力 → 電流」の各係数を順にかけ算すれば、途中の \(I_\mathrm{A}\) を経由せず一気に求まります。

$$I_\mathrm{B} = \frac{1}{r}\cdot\underbrace{\frac{\mu_0 \pi R_\mathrm{B}^2}{2 R_\mathrm{A}}}_{\Phi/I_\mathrm{A}}\cdot\underbrace{\frac{\varepsilon_0 bV(\varepsilon_\mathrm{r}-1)}{d}}_{I_\mathrm{A}/v_s}\cdot\underbrace{p}_{dv_s/dt}$$

各因子が物理的に何を表すかを意識すると、文字の取り違えを防げます。

Point

誘導電流は「磁束の時間変化 → 起電力 → 電流」の3段階。本問は \(I_\mathrm{A}\propto v_s\) なので、その時間変化率には加速度 \(p\) が効く。レンツの法則で増加を妨げる向き (iii)

問5 — \(0\to a\) の間に抵抗 \(r\) で消費されるエネルギー

直感的理解

誘電体は等加速度運動(加速度 \(p\))。すると速度 \(v_s\) は時間に比例し、\(I_\mathrm{A}\) も時間に比例して増える。\(I_\mathrm{A}\) の変化率は一定なので、誘導電流 \(I_\mathrm{B}\) は挿入の間ずっと一定値 \(I_{\mathrm{B}0}\)。あとは「一定電流が流れた時間」をかければエネルギーが出る。

① 誘導電流は一定であることを確認。等加速度運動なので \(v_s = p\,t\)(初速0)、よって \(I_\mathrm{A}=\dfrac{\varepsilon_0 bV}{d}(\varepsilon_\mathrm{r}-1)pt\) は時間に比例。\(I_\mathrm{A}\) の変化率は一定なので、誘導電流も挿入中ずっと一定値 \(I_{\mathrm{B}0}\) です。

② 挿入に要する時間を求める。挿入長は \(s = \dfrac{1}{2}p\,t^2\)。\(s=a\) となる時刻 \(T\) は:

$$a = \frac{1}{2}p\,T^2 \quad\Rightarrow\quad T = \sqrt{\frac{2a}{p}}$$

③ 一定電流による消費エネルギー。抵抗 \(r\) で消費される電力は \(P = I_{\mathrm{B}0}^{\,2}\, r\)(一定)。これに時間 \(T\) をかけて:

$$W = P\cdot T = I_{\mathrm{B}0}^{\,2}\, r \cdot \sqrt{\frac{2a}{p}}$$
答え:\(\displaystyle W = I_{\mathrm{B}0}^{\,2}\, r\, \sqrt{\frac{2a}{p}}\)
補足:もし \(I_\mathrm{B}\) が一定でなかったら

一般には \(W=\displaystyle\int_0^T I_\mathrm{B}^2 r\,dt\) と積分が必要ですが、本問は等加速度ゆえ \(I_\mathrm{B}\) が一定なので、単純な「電力×時間」で済みます。等加速度という条件が、計算を一気に簡単にしている点に注目しましょう。

Point

等加速度 → \(I_\mathrm{A}\propto t\) → \(I_\mathrm{A}\) の変化率一定 → \(I_\mathrm{B}\) は一定。一定電流の発熱は \(W=I^2 r\,t\)。挿入時間は \(a=\tfrac12 pT^2\) から。

問6 — 傾いた極板の電気容量(区分求積)

直感的理解

極板を「片側を固定して反対側を上下に開く」と、極板間の距離が場所ごとに違うクサビ形になる。これを幅 \(\tfrac{a}{n}\) の細長い短冊(微小平行板コンデンサー)に分割し、それぞれの容量を足し合わせる(並列)。\(n\) を大きくして和を近似計算する。

(a) \(k\) 番目の極板間距離。位置 \(x=\dfrac{a}{n}(k-1)\) において、極板間距離は \(x=0\) で \(d\)、\(x=a\) で \(d+\Delta d\) と直線的に増える1次関数:\(\;\text{距離}(x)=d+\dfrac{\Delta d}{a}x\)。\(x=\dfrac{a}{n}(k-1)\) を代入すると:

$$\boxed{(\text{a})}\quad d+\frac{\Delta d}{a}\cdot\frac{a}{n}(k-1) = d+\frac{\Delta d}{n}(k-1)$$

(b) 合成容量(和の形)。各微小コンデンサーは面積 \(b\cdot\dfrac{a}{n}\)、極板間距離 (a) の平行板。これらが横に並ぶので並列、容量を足し合わせます。

$$\sum_{k=1}^{n} C_k = \sum_{k=1}^{n} \boxed{\;\dfrac{\varepsilon_0\, a\, b}{n\,d + \Delta d\,(k-1)}\;}$$

(各項は \(C_k = \dfrac{\varepsilon_0\,(b\cdot a/n)}{d+\frac{\Delta d}{n}(k-1)} = \dfrac{\varepsilon_0 ab}{nd+\Delta d(k-1)}\)。)

(c) \(n\to\infty\) の近似。\(\delta=\dfrac{\Delta d}{d}\) とおいて和を変形します。

$$\sum_{k=1}^{n} C_k = \frac{\varepsilon_0 ab}{d}\cdot\frac{1}{n}\sum_{k=1}^{n}\frac{1}{1+\delta\frac{k-1}{n}} \fallingdotseq \frac{\varepsilon_0 ab}{d}\Bigl(1-\frac{\delta}{2}\Bigr)$$

与えられた近似公式 \(\dfrac{1}{n}\sum \dfrac{1}{1+\delta\frac{k-1}{n}}\fallingdotseq 1-\dfrac{\delta}{2}\) を用い、\(\delta=\dfrac{\Delta d}{d}\) を戻すと:

$$\boxed{(\text{c})}\quad \frac{\varepsilon_0 ab}{d}\Bigl(1-\frac{\Delta d}{2d}\Bigr)$$
答え:(a) \(d+\dfrac{\Delta d}{n}(k-1)\) / (b) \(\dfrac{\varepsilon_0 ab}{nd+\Delta d(k-1)}\) / (c) \(\dfrac{\varepsilon_0 ab}{d}\Bigl(1-\dfrac{\Delta d}{2d}\Bigr)\)
🔬 発展:和を積分で評価する

連続極限では \(\displaystyle C = \int_0^a \frac{\varepsilon_0 b\,dx}{d+\frac{\Delta d}{a}x} = \frac{\varepsilon_0 ab}{\Delta d}\log\!\frac{d+\Delta d}{d}\)。\(\Delta d\ll d\) で \(\log(1+\delta)\fallingdotseq \delta-\dfrac{\delta^2}{2}\) を使うと \(C\fallingdotseq \dfrac{\varepsilon_0 ab}{d}\Bigl(1-\dfrac{\Delta d}{2d}\Bigr)\) となり、区分求積の結果と一致します(高校範囲では与えられた近似公式を使えば十分)。

Point

距離が変化する極板は微小平行板の並列に分割。横並びは容量を足す。和は与えられた近似公式で評価する。

問7 — 位置 \(x\) での単位面積あたりの電気量 \(\sigma\)

直感的理解

極板は電源につながったままなので、どこでも極板間の電圧は \(V\) で共通。電場は \(E=\dfrac{V}{\text{間隔}}\) なので、間隔が広い場所ほど電場が弱く、たまる電荷の密度 \(\sigma=\varepsilon_0 E\) も小さくなる。

位置 \(x\) での極板間距離は問6 (a) と同じく \(d+\dfrac{\Delta d}{a}x\)。極板間の電圧は電源につながっているので \(V\) のまま。その場所の電場は \(E(x)=\dfrac{V}{d+\frac{\Delta d}{a}x}\)。

極板 A 上の単位面積あたりの電気量(電荷密度)は \(\sigma=\varepsilon_0 E\):

$$\sigma(x) = \varepsilon_0 E(x) = \frac{\varepsilon_0 V}{\,d+\dfrac{\Delta d}{a}x\,}$$
答え:\(\displaystyle \sigma(x) = \frac{\varepsilon_0 V}{\,d+\dfrac{\Delta d}{a}x\,}\)
補足:\(x=0\) と \(x=a\) での値

\(x=0\)(固定された辺)では \(\sigma(0)=\dfrac{\varepsilon_0 V}{d}=\sigma_0\)(広げる前と同じ)。\(x=a\)(最も開いた辺)では \(\sigma(a)=\dfrac{\varepsilon_0 V}{d+\Delta d}<\sigma_0\)。固定端では値が変わらず、開いた端ほど小さくなる、という分布になります。これが問8のグラフ選択の根拠です。

Point

電源接続のまま → 電圧 \(V\) 一定。電荷密度は \(\sigma=\varepsilon_0 E=\dfrac{\varepsilon_0 V}{\text{間隔}}\)。間隔が広いほど \(\sigma\) 小

問8 — \(\sigma\) の分布グラフの選択

直感的理解

問7の式 \(\sigma=\dfrac{\varepsilon_0 V}{d+\frac{\Delta d}{a}x}\) は、\(x=0\) でちょうど \(\sigma_0\) から始まり、\(x\) が増えるほど分母が大きくなってだんだん減っていく。減り方は最初が急で次第にゆるやか(下に凸の曲線)。

問7の結果 \(\sigma(x)=\dfrac{\varepsilon_0 V}{d+\frac{\Delta d}{a}x}\) の特徴を整理します。

これらを満たすのは、\(\sigma_0\) から出発して下に凸で減少する(え)。比較として、(あ)(い)(う) は \(x=0\) で \(\sigma_0\) より大きく始まり不適、(か)〜(こ) は増加・上に凸など不適です。

答え:(え)(\(x=0\) で \(\sigma_0\) から始まり単調減少する下に凸の曲線)
補足:なぜ \(x=0\) で \(\sigma_0\) ちょうどなのか

図3で固定したのは辺 \(a_1a_2\)・\(b_1b_2\)(=原点側 \(x=0\))。ここは広げる前後で間隔が \(d\) のまま変わらないため、電場も電荷密度も変化せず \(\sigma(0)=\sigma_0\)。一方 \(x>0\) 側は間隔が広がるので \(\sigma<\sigma_0\)。「固定端では値が変わらない」が選択の決め手です。

Point

グラフ選択は①始点の値、②増減、③凹凸の3点で絞る。\(\sigma=\dfrac{1}{d+kx}\) 型は「\(\sigma_0\) から下に凸で減少」。

問9 — 極板を広げ始めた直後のコイルBの電流

直感的理解

誘電体の問題(問4)と同じ「\(I_\mathrm{A}\) の変化 → 磁界の変化 → コイル B の誘導電流」の流れ。ただし今回は極板間隔の変化で容量が変わる。広げ始めた直後は速度0だが、容量の変化率の変化率(加速度 \(q\))が \(I_\mathrm{A}\) の変化を生み、コイル B に電流を流す。

① 容量と電気量。問6 (c) より、広げた後の容量は \(C=\dfrac{\varepsilon_0 ab}{d}\Bigl(1-\dfrac{\Delta d}{2d}\Bigr)\)。電源につながっているので \(Q=CV\):

$$Q = \frac{\varepsilon_0 abV}{d}\Bigl(1-\frac{\Delta d}{2d}\Bigr) = \frac{\varepsilon_0 abV}{d} - \frac{\varepsilon_0 abV}{2d^2}\,\Delta d$$

② \(\Delta d\) の時間変化。辺 \(a_3a_4,\,b_3b_4\) がそれぞれ加速度 \(\dfrac{q}{2}\)、初速0で離れていく。両側の合計でできる隙間の増加は \(\Delta d = 2\cdot\dfrac{1}{2}\cdot\dfrac{q}{2}t^2 = \dfrac{q}{2}t^2\)。よって \(\dfrac{d(\Delta d)}{dt}=q\,t\)、さらに \(\dfrac{d^2(\Delta d)}{dt^2}=q\)。

③ コイル A の電流とその変化率。定数項は微分で消えるので:

$$I_\mathrm{A} = \frac{dQ}{dt} = -\frac{\varepsilon_0 abV}{2d^2}\cdot\frac{d(\Delta d)}{dt} = -\frac{\varepsilon_0 abV}{2d^2}\,q\,t$$

広げ始めた直後(\(t=0\))は \(I_\mathrm{A}=0\) ですが、その変化率は0でない点が誘導電流のカギ:

$$\left|\frac{dI_\mathrm{A}}{dt}\right| = \frac{\varepsilon_0 abV}{2d^2}\cdot\frac{d^2(\Delta d)}{dt^2} = \frac{\varepsilon_0 abV}{2d^2}\,q$$

④ コイル B の誘導電流。問4と同じく \(\Phi_\mathrm{B}=\dfrac{\mu_0 \pi R_\mathrm{B}^2}{2 R_\mathrm{A}}I_\mathrm{A}\) なので、起電力 \(|V_\mathrm{ind}|=\dfrac{\mu_0 \pi R_\mathrm{B}^2}{2 R_\mathrm{A}}\Bigl|\dfrac{dI_\mathrm{A}}{dt}\Bigr|\)、電流は \(\div r\):

$$I_\mathrm{B} = \frac{1}{r}\cdot\frac{\mu_0 \pi R_\mathrm{B}^2}{2 R_\mathrm{A}}\cdot\frac{\varepsilon_0 abV}{2d^2}\,q = \frac{\mu_0 \pi R_\mathrm{B}^2\,\varepsilon_0 a b V\,q}{4 R_\mathrm{A}\, r\, d^2}$$
答え:\(\displaystyle I_\mathrm{B} = \frac{\mu_0 \pi R_\mathrm{B}^2\,\varepsilon_0 a b V\,q}{4 R_\mathrm{A}\, r\, d^2}\)
補足:直後に「速度0なのに電流が流れる」理由

誘導電流を決めるのは \(I_\mathrm{A}\) 自体ではなく\(I_\mathrm{A}\) の変化率 \(\dfrac{dI_\mathrm{A}}{dt}\)。\(I_\mathrm{A}\propto \dfrac{d(\Delta d)}{dt}\propto t\) なので \(\dfrac{dI_\mathrm{A}}{dt}\propto \dfrac{d^2(\Delta d)}{dt^2}=q\) で一定(\(t=0\) でも有限)。だから速度0の瞬間でも、加速度 \(q\) があれば \(I_\mathrm{B}\) は流れます。もし加速度0(等速で広げる)なら \(\dfrac{dI_\mathrm{A}}{dt}=0\) となり \(I_\mathrm{B}=0\) です。

Point

容量変化型でも誘導電流のカギは\(\dfrac{dI_\mathrm{A}}{dt}\)。\(\Delta d=\tfrac{q}{2}t^2\) より \(I_\mathrm{A}\propto t\)、その変化率に加速度 \(q\) が効く。係数 \(\tfrac14\) は容量近似の \(\tfrac12\) と起電力の \(\tfrac12\) の積。